آي بي إم تحقق خرقاً في ذاكرة التخزين ليصبح أسرع من الذاكرة الوميضة بخمسين مرة

للمرة الأولى في التاريخ تمكن باحثون من تخزين 3 بت بالخلية في مصفوفات الذاكرة متغيرة الطور، مما يجعل تكنولوجيا تخزين الأقراص البصرية أقوى من تكنولوجيا ذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية الحالية.

ملحوظة: الذاكرة الوميضة = Flash memory، الذاكرة العشوائية = RAM.

عصر جديد في التخزين

الذاكرة متغيرة الطور (PCM)، هي التكنولوجيا نفسها المستخدمة في الأقراص البصرية من الأقراص الليزيرية (CD) وأقراص الدي في دي (DVD) التي اشتُهرت في بدايات الألفية، ثم تم تنحيتها بعد ظهور ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) وسيطرتها على السوق، ولكن بعد حوالي خمسة عشر عاماً، لاحظ بائعو التجزئة في السوق التحديات التي تواجهها ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية، وخصوصاً  سعة تكنولوجيا الذاكرات السائدة في السوق، وقاموا بإعادة النظر بالذاكرة المتغيرة الطور.

استطاعت الذاكرات متغيرة الطور في السابق أن تخزن واحد بت في الخلية، مما يجعل قدرتها محدودة بالإضافة إلى عدم فعاليتها من ناحية التكلفة، ولكنّ أبحاث العلماء في شركة آي بي إم (IBM) التكنولوجية الأمريكية وجدت خصائص للذاكرة متغيرة الطور تجعلها أفضل بكثير من تكنولوجيا التخزين الحالية.

ونوه الدكتور هاريس بوزيديس - العالم في الذاكرة غير المتغيرة في مركز بحوث آي بي إم في زيوريخ - أن هذه المرة الأولى في التاريخ التي يتمكن فيها أحدهم من تخزين ثلاثة مستويات في الخلية (TLC)، أو 3 بت بالخلية في مصفوفة الذاكرة متغيرة الطور، وتحديد كل التحديات الأساسية لاعتماد هذه الذاكرة، إلا أن المقدرة الحالية حلت هذه المشكلة، كما يقول: "لأن هذه الكثافة سوف تجعل تكاليف الذاكرة المتغيرة الطور أقل من ذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية ولتصبح أقرب إلى الذاكرة الوميضة ( Flash Memory)".

يمكن لتكنولوجيا الذاكرة متغيرة الطور الجديدة أن تتحمل على الأقل 10 ملايين دائرة كتابة، بالمقارنة مع محركات الذاكرة الوميضة المحدودة بـ 3000 دائرة كتابة، ويمكن دمج هذه التقنية مع الذاكرة الوميضة لتقديم هجين يمكن أن يزيد قوة أجهزة الموبايل بثوانٍ قليلة.

إعادة هذه التكنولوجيا للاستخدام سيؤدي إلى تقنية تخزين أقل تكلفة، وتحمل خصائص ذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية، ولكن بكثافة أعلى بكثير من التي يمكننا حفظها حتى في حالة فقدان الطاقة، لأنها غير متغيرة.

عودة 47 عاماً إلى تاريخ التكنولوجيا 

تكنولوجيا الذاكرة متغيرة الطور تعتمد على أبحاث تشارلي سي التي نُشرت عام 1969 حيث أشار في قوله إلى وجود بعض المواد التي تتغير بين الأطوار غير المتبلورة والمتبلورة: "كتبت في شبابي عام 1969، أطروحة في جامعة ولاية أيوا عن كيفية استخدام الأطوار المختلفة (البلورية وغير البلورية – حالتان فرعيتان من الحالة الصلبة للمادة -) للمواد المشابهة للزجاج (chalcogenide) لتخزين 1 و0 في ذاكرة الحاسوب، وتسمى الذاكرة متغيرة الطور".